概念：可控硅又稱晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶 可控硅閘管、快速晶閘管，等等。
可控硅整流器件是一種非常重要的功率器件，可用來(lái)做高電壓和高電流的控制�？煽毓杵骷饕迷陂_(kāi)關(guān)方面，使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開(kāi)啟或是導(dǎo)通的狀態(tài)，反之亦然。可控硅器件與雙極型晶體管有密切的關(guān)系，二者的傳導(dǎo)過(guò)程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅的開(kāi)關(guān)機(jī)制和雙極晶體管是不同的，且因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)不同，可控硅器件有較寬廣范圍的電流、電壓控制能力�，F(xiàn)今的可控硅器件的額定電流可以從幾毫安到5000A以上，額定電壓可以超過(guò)10000V。下面將討論基本可控硅器件的工作原理，然后給出一些高功率和高頻率的可控硅器件。
結(jié)構(gòu)
今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱晶閘管T,又因?yàn)榫чl管最初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR.
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài). 可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用.
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等.
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通. 可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形.
可控硅元件的結(jié)構(gòu)
不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu).見(jiàn)圖1.它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
結(jié)束語(yǔ):以上信息就是相關(guān)知識(shí)介紹可控硅的內(nèi)容！
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